東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授らは、東北大学大学院工学研究科、及び（公財）高輝度光科学研究センターと共同で、次世代材料として有望視されているグラフェンとSiテクノロジーとの融合デバイスの実現に向けた、微細加工Si基板上へのグラフェンの位置選択的な結晶成長技術の確立に初めて成功しました。本研究成果は、立体的なグラフェンの多機能集積回路の基盤技術になることが期待されます。

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＜問合せ先＞
東北大学電気通信研究所　准教授　吹留　博一
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