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Si基板上へのグラフェン多機能デバイスの開発に道

 東北大学電気通信研究所の吹留博一助教らは、シリコン(Si)基板の面方位による、Si基板上に成長させた次世代電子材料グラフェン(GOS)の多機能化(金属性?半導体性の切り分け)に成功し、GOSを用いたトランジスタの集積化も可能であることを示しました。

 現在の半導体集積技術を用いてグラフェンの多機能化?集積可能性を示した ことは、グラフェンの多機能集積回路への道を拓いたという意味で、画期的な成果です。

 

詳細(プレスリリース本文)PDF

 

問い合わせ先:

東北大学電気通信研究所      

吹留博一、末光眞希、尾辻泰一      

e-mail: fukidome*riec.tohoku.ac.jp (*を@に置き換えて下さい)      

tel: 022-217-5484,5485,6102      

 

東北大学電気通信研究所研究協力係      

tel: 022-217-5422

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